美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校科研团队近日宣布，在一块硅芯片上成功垂直堆叠三层有源硅电路层，并实现了约98%至100%的晶体管良率，被视为在摩尔定律逼近物理极限背景下，为提升芯片算力密度提供了一条新的工程化路径。 阅读全文

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