中国存储芯片新锐长鑫存储(CXMT)在 DDR5 内存芯片领域取得重要进展。据国内媒体最新报道,长鑫存储采用 17 纳米级制造工艺打造的 DDR5 内存芯片,产出良品率已成功达到 90%。这一关键突破将大幅提升其规模化量产与出货能力,进一步缩小与美光等全球行业巨头的差距。 阅读全文
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长鑫存储在DDR5内存芯片领域取得重要进展 良率已达到 90%
中国存储芯片新锐长鑫存储(CXMT)在 DDR5 内存芯片领域取得重要进展。据国内媒体最新报道,长鑫存储采用 17 纳米级制造工艺打造的 DDR5 内存芯片,产出良品率已成功达到 90%。这一关键突破将大幅提升其规模化量产与出货能力,进一步缩小与美光等全球行业巨头的差距。 阅读全文
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