IT之家 6 月 2 日消息,集邦咨询 2 日(今天)下午发布的最新研究指出,自 2025 年下半年以来,一般型 DRAM(Conventional DRAM)价格大涨,反映供不应求形势之际,三大原厂的 HBM 年度议价机制,导致 HBM 合约价无法及时反映市场的季度涨价趋势。 随着时序进入今年 Q2,买卖双方正在对 2027 年的主流产品 HBM4 供应进行谈判。集邦咨询认为,基于 DRAM 供不应求市况、新旧世代 HBM 的高制造难度及高成本,三大原厂将于 2027 年大幅调高 HBM 的报价。 根据该机构追踪 HBM 及 Conventional DRAM 的单片晶圆产值(IT之家注:依晶粒尺寸、良率及每 Gb 价格估计),HBM 单片晶圆产值已于今年 Q1 被 DDR5 64GB RDIMM 反超,而 HBM 的利润率亦因此于今年 Q1 起低于 DDR5 64GB RDIMM。 从需求动能来看,在 AI 基础设施加速建设带动下,HBM 需求于 2026 至 2027 年持续旺盛,不过两年动能略有差异。2026 年 HBM 需求动能主要来自 AI ASICs 对容量的升级,将 AI 芯片所配置的 HBM 容量由 96/192GB 大举拉升至 216/288GB;而英伟达 Rubin 平台单颗 GPU 的 HBM 容量虽持平于前代,仍借由出货量成长同步推升整体需求。2027 年英伟达的 Rubin Ultra 平台将进一步推升单颗 GPU 的 HBM 容量至 384GB,谷歌 TPU 等 AI ASICs 则因颗数成长,也将放大对 HBM 位元需求。 该机构预估,三大原厂 2025-2027 年 HBM 投片量估计占整体 DRAM 投片量的 18%、22% 及约 30%(以每年年底投片量计算),而 HBM 位元供给则将占整体 DRAM 位元供给的 8%、9% 及约 13%。
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