IT之家 6 月 6 日消息，Tom's Hardware 在 2026 台北国际电脑展上走访了芝奇展位，对 AMD 刚刚公布的 EXPO Ultra Low Latency（ULL）进行了进一步了解。 AMD EXPO ULL 内存技术旨在让用户通过一键启用的方式获得比现有 EXPO 配置文件更低的内存延迟，芝奇在现场展台上展示了四款支持 EXPO ULL 的新内存套件。 内存延迟直接影响处理器从内存获取数据所需的等待时间，因此对处理器性能具有重要影响。 近年来，DDR 内存标准持续升级，带宽不断提高，但延迟改善幅度相对有限。对于 DIY 玩家而言，选购内存时通常会同时关注频率和 CL 时序等参数。例如两套 CL30 内存中，频率更高的产品往往拥有更低的实际延迟。 但对于 AMD 用户来说，实际情况并没有这么简单。内存速度超过 6000 MT/s 通常需要让集成内存控制器与内存进入 1:2 分频模式，而分频本身会引入额外延迟，反而可能抵消频率提升带来的性能优势，因此 DDR5-6000 CL30 被视为锐龙 7000/9000 系列处理器的内存频率甜点。 但甜点不是上限，这并不意味着 AMD 平台没有进一步优化的空间，EXPO ULL 的推出正是基于这一点。 据芝奇方面介绍，EXPO ULL 的核心改进并非提升频率，而是扩大了 EXPO 配置文件可调节参数范围。 在此之前，无论是 AMD EXPO 还是 Intel XMP，内存厂商几乎只能对四项主时序进行调整。而在 EXPO ULL 规范下，厂商首次被允许针对这些主时序下属的子时序（Sub-timings）进行深入优化，并将调校结果直接写入 SPD 信息中。这意味着，EXPO ULL 赋予了内存厂商更多自由度。 过去，追求极致性能的用户会借助第三方工具手动优化小参，但锐龙 X3D 处理器凭借大容量 3D V-Cache 降低了对这些精细调整的敏感度，更常见的做法是 —— 直接买一套 DDR5-6000 CL28 或 CL30 内存、开启 EXPO 便算完工。 现在，EXPO ULL 则省去了用户自行摸索的繁琐过程，内存厂商可在实验室中预先完成这项工作，并整合到一键式超频方案中。 不过，芝奇同时指出，EXPO ULL 并不会改变 X3D 与非 X3D 处理器之间的特性差异。将 X3D 芯片与 EXPO ULL 内存搭配使用时，获得的提升不会像搭配非 X3D 芯片那样明显。这也是 AMD 选择用 R7 9700X 而非 R7 9850X3D 来宣传 EXPO ULL 性能提升的原因。 另外，EXPO ULL 对内存颗粒品质提出了更高要求。支持该技术的产品需要经过更严格的颗粒筛选和分级测试，因此无法简单通过软件更新就能让现有内存获得支持。 从目前披露的信息来看，EXPO ULL 更像是对现有 EXPO 体系的补充，而非升级方案，其主要面向追求极限游戏性能的发烧级玩家。 相关阅读： 《芝奇首款 AMD EXPO ULL 内存亮相：DDR5-6000 CL26 配主动散热模块，下半年上市》 《芝奇展示 CU-DIMM 内存条低压高频实力：1.1V 实现 9200CL74》 《芝奇宣布 XMP 3.0 超频 DDR5 内存支持英特尔酷睿 Ultra 200S Plus 处理器》
Full article body is being fetched in the background. Refresh in a moment to see the complete paragraphs. For now this page shows a summary and AI analysis.