韩国存储芯片巨头SK海力士计划在美国纽约州投资约450亿美元建设两座NAND闪存工厂，但这项庞大的投资计划如今遭遇新的障碍。路透社11月3日援引知情人士消息称，美国商务部尚未批准SK海力士向中国大连工厂出口更多美国制造半导体设备的许可证，而SK海力士希望通过扩大中国工厂的生产规模获得额外收入，为美国新工厂建设提供资金支持。 阅读全文