IT之家 5 月 11 日消息，韩媒 ETNEWS 当地时间今日报道称，在 DRAM 尤其是 HBM 业务竞争力恢复后，三星电子设备解决方案 (DS) 部开始就重启半导体新业务的研发和投资进行讨论。 此次讨论的重点包括下一代 (V10) NAND 闪存、化合物半导体、先进封装及基板，都是处于三星电子技术路线图上但进展相对缓慢的领域。随着内部资源出现富余，三星半导体正瞄准下一阶段的增长。 三星电子在 2024 年 4 月和 9 月先后宣布其第九代 286 层 V-NAND 的 TLC 和 QLC 版本进入量产阶段，此后一直未上线新的 NAND 工艺节点。换句话说其量产制程出现了超过 2 年的停滞。 从目前媒体侧的消息来看，三星电子的 V10 NAND 堆叠层数将跃升至 400 以上，提升单位晶圆的容量产出。而为了达成这一目标，该企业需要引入一系列的工艺创新。 相关阅读： 《氮化镓 (GaN) 领域台积电退三星电子进：后者 8 英寸产线最早 2026Q2 投产》 《消息称三星晶圆代工重启 8 英寸碳化硅产线建设准备，有望 2028 年量产》
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